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產(chǎn)品名稱:牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

產(chǎn)品型號(hào):

更新時(shí)間:2025-03-19

產(chǎn)品特點(diǎn):牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀 Max系列能譜儀采用新一代硅漂移型探測器(SDD),配備大面積晶體和低噪音電子元器件,顯著提升了分析速度和探測靈敏度。其最大計(jì)數(shù)率高達(dá)1,500,000cps,適用于高速面分析及定量分析,尤其在分析條件下,大面積晶體(100mm²和170mm²)能夠大幅提高計(jì)數(shù)率。

產(chǎn)品詳細(xì)資料:

儀器型號(hào):牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

生產(chǎn)廠家:英國牛津儀器公司

工作原理主要技術(shù)指標(biāo):

能譜儀與場發(fā)射電鏡聯(lián)用,高能電子入射到樣品表面,激發(fā)出X射線,能譜儀探頭緊靠樣品,高效收集X射線,進(jìn)行快速元素定性、定量分析。

探測器:SDD硅漂移電制冷探測器

能量分辨率:MnKa優(yōu)于127eV

元素分析范圍:Be4—Cf98

主要用途:

與場發(fā)射電鏡SEM聯(lián)用,進(jìn)行材料微區(qū)成分分析,單顆粒自動(dòng)識(shí)別及成分形貌分析。






牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀Max系列能譜儀,有效晶體面積為 40mm2,65mm2,100mm2以及170mm2,是新一代硅漂移型探測器(SDD),配有大面積晶體和低噪音電子元器件,分析速度和探測靈敏性都有大幅提升。

速度 - 低噪音電子元器件和X4脈沖處理器的結(jié)合,使Ultim Max能夠在1,500,000 cps的計(jì)數(shù)率下對(duì)樣品進(jìn)行面分析,并在400,000 cps計(jì)數(shù)率下進(jìn)行精確定量。

靈敏度 - 晶體尺寸有著很大影響。使用Ultim Max的大面積晶體(100 mm2和170 mm2),可大幅提高分析條件下的計(jì)數(shù)率。

牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

  • X-MaxN 為低能端元素的分析做了巨大的優(yōu)化——無論何種尺寸,表現(xiàn)出優(yōu)異的低能端分析性能

  • 所有尺寸的能譜儀均可保證檢測到Be,可獲得SiLI峰的面分布

  • 超大面積的能譜儀——均具有優(yōu)異的低能端分析性能

  • 優(yōu)異的空間分辨率
    高空間分辨率,X射線擴(kuò)展區(qū)域更小

  • 大面積能譜儀可以在低加速電壓及低束流下采集X-射線

  • 納米尺度的特征可以更好的被檢測到

  • 超大面積的能譜儀——使高級(jí)的納米分析成為可能

  • 150 mm2 的能譜儀比小晶體面積的優(yōu)勢(shì)在哪里?
    舉例為證。加速電壓20kV,束流不到2nA時(shí),150 mm2 的能譜儀每秒即可輸出200,000的計(jì)數(shù)。而使用10 mm2 的能譜儀時(shí),需要近20nA下才可達(dá)到相同的計(jì)數(shù)率。

  • 下圖顯示不同束流下的典型計(jì)數(shù)率,20kV下分析純Mn時(shí),探測器檢出角30°且距樣品45mm。使用大面積能譜儀,無需增加束流即可極大地增大計(jì)數(shù)率。也就是說在低束流下,保證高空間分辨率及低輻照損傷的同時(shí)可以獲得足夠多的計(jì)數(shù)。左圖顯示束流增加對(duì)改善圖像質(zhì)量的影響。

  • 點(diǎn)擊圖像可查看大圖

  • 牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀


  • 束流對(duì)納米材料分析的影響

  • 當(dāng)使用晶體面積小的能譜儀,需要高束流來滿足足夠的計(jì)數(shù)率,但會(huì)損害空間分辨率。超大面積能譜儀X-MaxN 150可以在低束流即高空間分辨率下獲得足夠多計(jì)數(shù),因此可以成功實(shí)現(xiàn)納米材料的檢測與分析。

  • 牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

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  • 右圖:納米結(jié)構(gòu)在5kV下的X-射線面分布。計(jì)數(shù)率相同時(shí),150mm2的能譜儀所需束流更低,意味著空間分辨率足夠高可以分辨出納米尺度的變化,且極大地減弱了樣品的輻照損傷。相反,10mm2的能譜儀則需要更高的束流,卻會(huì)嚴(yán)重?fù)p害空間分辨率,使得面分布圖像模糊不清。


  • 牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

  • 右圖:在0.2 nA, 3 kV下使用150 mm2 X-MaxN 的能譜儀對(duì)記憶合金中的納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析??梢杂^察到FeLa,NiLa及CuLa峰顯示出的納米結(jié)構(gòu)分布差異,zei小可以區(qū)分出20nm寬度的結(jié)構(gòu)


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